參數(shù)資料
型號(hào)： STB5610
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： GPS RF FRONT-END IC
中文描述： GPS射頻前端IC
文件頁(yè)數(shù)： 5/11頁(yè)
文件大小： 158K
代理商： STB5610
5/11
STB5610
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Vcc = 3+/-10%, Tcase= 25
o
C)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
Symbol
Vcc
Supply voltage
Parameter
Value
5.9
Unit
V
Tj
Junction operating temperature
-40 to 125
o
C
THERMAL DATA
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rthj-case
Thermal resistance junction-case
TBD
o
C/W
SUPPLY
Vcc
Supply voltage
Supply current
Vcc Antenna
Supply
2.7
3.3
37
3.6
V
Icc
mA
AS1
2.7
3.3 / 5
5.5
V
LNA
Gp
Power gain
Pin GC at GND
Pin GC at Vcc
Pin GC at GND
Pin GC at Vcc
Pin GC at GND
Pin GC at Vcc
19
10
3
10
-20
-5
dB
NF
Noise figure
dB
IIP3
Input IP3
dBm
VSWRin
Voltage Stat. Wave
Ratio
Z
L
=50
2.1
RF AMPLIFIER AND MIXER
CHAIN
IIP3
NF
Noise Figure
Z
IN
Input impedance
Differential output
impedance
fRF
Input signal RF
Voltage Convertion
Input IP3
-19
5.5
dBm
dB
50
Z
OUT
1.4
Κ
1.575
MHz
G
Gain
30
dB
FIRST LIMITING AMPLIFIER
G
Voltage Gain
Differential output
impedance
60
dB
Z
OUT
2.4
Κ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB5NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
STB5NA80 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率ＭＯＳ晶體管)
STB60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB60NE06L-16 N-Channel 60V-0.014Ω-60A-D2PAK “SINGLE FEATURE SIZETM” Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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