型號(hào): | STB55NF06L |
廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
英文描述: | N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET |
中文描述: | N溝道60V的- 0.014ohm - 55A條TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩二功率MOSFET |
文件頁(yè)數(shù): | 9/12頁(yè) |
文件大小: | 454K |
代理商: | STB55NF06L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STP55NF06LFP | N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET |
STB5600 | GPS RF FRONT-END IC |
STB5610 | GPS RF FRONT-END IC |
STB5NA50 | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET) |
STB5NA80 | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STB55NF06L-1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 60V - 0.014ヘ - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET |
STB55NF06LT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB55NF06T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB5600 | 功能描述:射頻無(wú)線雜項(xiàng) GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
STB5600TR | 功能描述:射頻無(wú)線雜項(xiàng) GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |