參數(shù)資料
型號： STB55NF06L
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET
中文描述： N溝道60V的- 0.014ohm - 55A條TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/12頁
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代理商： STB55NF06L
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STP55NF06L - STP55NF06LFP - STB55NF06L - STB55NF06L-1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
SWITCHING OFF
Symbol
t
d(off)
t
f
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 30 V, I
D
= 27.5A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 48 V, I
D
= 55 A,
V
GS
= 4.5V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
20
ns
t
r
Rise Time
100
ns
Q
g
Q
gs
Q
gs
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
27
7
10
37
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 30 V, I
D
= 27.5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
40
20
Max.
Unit
ns
ns
Turn-off-Delay Time
Fall Time
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
55
A
Source-drain Current (pulsed)
220
A
Forward On Voltage
I
SD
= 55 A, V
GS
= 0
1.3
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 55A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 30 V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
80
200
5
ns
nC
A
Thermal mpedance or TO-220/D2PAK/I2PAK
Safe Operating Area For TO-220/D2PAK/I2PAK
相關PDF資料
PDF描述
STP55NF06LFP N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET
STB5600 GPS RF FRONT-END IC
STB5610 GPS RF FRONT-END IC
STB5NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
STB5NA80 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率ＭＯＳ晶體管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STB55NF06L-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 60V - 0.014ヘ - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
STB55NF06LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB55NF06T4 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB5600 功能描述:射頻無線雜項 GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
STB5600TR 功能描述:射頻無線雜項 GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
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