參數(shù)資料
型號： STB30N10
廠商： 意法半導體
英文描述： CAP 22PF 200V 10% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
中文描述： ? - 100V的通道- 0.06ohm - 30A條- D2PAK封裝，功率MOS器件
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大小： 455K
代理商： STB30N10
STB30NF10 STP30NF10 STP30NF10FP
2/11
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25 °C unless otherwise specified)
OFF
ON
(*
)
DYNAMIC
D
2
PAK
TO-220
TO-220FP
Rthj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
1.30
5
°C/W
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
62.5
300
°C/W
°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
100
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20 V
±100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA
2
3
4
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
I
D
= 15 A
0.038
0.045
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (*)
Forward Transconductance
V
DS
= 15 V
I
D
= 15 A
10
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
1180
180
80
pF
pF
pF
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PDF描述
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