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參數(shù)資料
| 型號： | STB3020L |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | CSED, FLANGE KIT 400A |
| 中文描述： | ? -通道30V的- 0.019ohm - 40A條-采用D2PAK STripFET]功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | STB3020L |
STB3020L
N - CHANNEL 30V - 0.019
- 40A - D
2
PAK
STripFET
POWER MOSFET
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.019
I
LOW GATE CHARGE A 100
o
C
I
APPLICATIONORIENTED
CHARACTERIZATION
I
FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT
SALESOFFICE
I
ADD SUFFIX”T4” FORORDERING IN TAPE
& REEL
DESCRIPTION
This Power Mosfet is the latest development of
STMicroelectronics
unique
Size
” strip-based process. The resulting transi-
stor shows extremelyhigh packing density forlow
on-resistance, rugged avalance characteristics
and less critical alignment steps therefore a re-
markable manufacturingreproducibility.
”Single
Feature
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
SOLENOIDAND RELAY DRIVERS
I
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
I
DC-AC & DC-AC CONVERTERS IN HIGH
PERFORMANCE VRMs
I
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS,Etc.)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
March 1999
1
3
D
2
PAK
TO-263
(suffix ”T4”)
TYPE
V
DSS
30 V
R
DS(on)
< 0.022
I
D
STB3020L
40 A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
30
V
30
V
±
20
40
V
A
I
D
28
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
160
A
80
W
0.53
W/
o
C
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 175
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
175
1/8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB30NE06L | N - CHANNEL 60V - 0.35ohm - 30A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET |
| STB40NF10L | N-CHANNEL 100V - 0.028ohm - 40A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET |
| STB50NE08T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB |
| STB50NE10LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB |
| STB50NE10T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB3055L2 | 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor |
| STB3060CTR | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 15A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1.2mA @ 60V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STB30N10 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 100V - 0.06ohm - 30A - D2PAK POWER MOS TRANSISTOR |
| STB30N65M5 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB30NE06L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 60V - 0.35ohm - 30A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET |
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