參數(shù)資料
型號(hào)： STB270N04-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 40V - 2.1m-ohm - 160A - TO-220 - D-2PAK - I-2PAK STripFET-TM Power MOSFET
中文描述： N溝道40V的- 210萬歐姆- 160A章-到220 - ?- 2PAK -我- 2PAK STripFET -商標(biāo)功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/14頁
文件大小： 253K
代理商： STB270N04-1
February 2006
Rev3
1/14
14
■
100% avalanche tested
■
Standard threshold drive
Description
This N-Channel enhancement mode MOSFET is
the latest refinement of STMicroelectronic unique
“Single Feature Size“ strip-based process with
less critical aligment steps and therefore a
remarkable manufacturing reproducibility. The
resulting transistor shows extremely high packing
density for low on-resistance, rugged avalanche
characteristics and low gate charge.
Applications
■
High current, switching application
■
Automotive
Internal schematic diagram
General features
Type
V
DSS
R
DS(on)
<2.9m
<2.5m
<2.9m
I
D
P
TOT
STB270N04-1
40V
120A
330W
STB270N04
40V
160A
330W
STP270N04
40V
120A
330W
1
2
3
123
1
3
TO-220
D2PAK
I2PAK
STB270N04
STB270N04-1 - STP270N04
N-CHANNEL 40V - 2.1m
- 160A - TO-220 - D
2
PAK - I
2
PAK
STripFET Power MOSFET
www.st.com
Order codes
Sales Type
Marking
Package
Packaging
STB270N04-1
B270N04
I2PAK
TUBE
STB270N04
B270N04
D2PAK
TAPE & REEL
STP270N04
P270N04
TO-220
TUBE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP270N04 N-CHANNEL 40V - 2.1m-ohm - 160A - TO-220 - D-2PAK - I-2PAK STripFET-TM Power MOSFET
STB3020L CSED, FLANGE KIT 400A
STB30NE06L N - CHANNEL 60V - 0.35ohm - 30A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET
STB40NF10L N-CHANNEL 100V - 0.028ohm - 40A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
STB50NE08T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB270N4F3 功能描述:MOSFET N-Channel 40V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB270N4F3_08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 40 V - 2.1 mΩ - 160 A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFET? Power MOSFET
STB270N4F3_09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 40 V, 1.6 mΩ, 160 A, D2PAK, I2PAK STripFET? III Power MOSFET
STB27NM60ND 功能描述:MOSFET N-Ch Power Mosfet 600V STripFET D2PAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB28N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 100V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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