參數(shù)資料
型號: STB21NM50N
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
中文描述: N溝道500V - 0.15ohm - 18A條TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 MOSFET的第二代MDmesh
文件頁數(shù): 14/16頁
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代理商: STB21NM50N
STP21NM50N - STF21NM50N - STB21NM50N - STB21NM50N-1 - STW21NM50N
14/16
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.85
2.20
1.0
2.0
3.0
0.40
19.85
15.45
MAX.
5.15
2.60
1.40
2.40
3.40
0.80
20.15
15.75
MIN.
0.19
0.086
0.039
0.079
0.118
0.015
0.781
0.608
MAX.
0.20
0.102
0.055
0.094
0.134
0.03
0.793
0.620
A
A1
b
b1
b2
c
D
E
e
L
L1
L2
P
R
S
5.45
0.214
14.20
3.70
14.80
4.30
0.560
0.14
0.582
0.17
18.50
0.728
3.55
4.50
3.65
5.50
0.140
0.177
0.143
0.216
5.50
0.216
TO-247 MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP21NM50N N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STW21NM50N N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STB21NM50N-1 N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STF3HNK90Z N-CHANNEL 900V - 3.5W - 3A TO-220 - TO-220FP Zener-Protected SuperMESHTM Power MOSFET
STP3HNK90Z N-CHANNEL 900V - 3.5W - 3A TO-220 - TO-220FP Zener-Protected SuperMESHTM Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB21NM50N-1 功能描述:MOSFET N-CHANNEL MFT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB21NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600 V 0.19 Ohm 17 A 2nd Gen MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB21NM60N- 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh? Power MOSFET
STB21NM60N-1 功能描述:MOSFET N-CHANNEL MFT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB21NM60ND 功能描述:MOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube