參數(shù)資料
型號(hào): STB21NM50N
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
中文描述: N溝道500V - 0.15ohm - 18A條TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 MOSFET的第二代MDmesh
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代理商: STB21NM50N
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STP21NM50N - STF21NM50N - STB21NM50N - STB21NM50N-1 - STW21NM50N
L2
A
B
D
E
H
G
L6
F
L3
G
1 2 3
F
F
L7
L4
L5
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.4
2.5
2.5
0.45
0.75
1.15
1.15
4.95
2.4
10
MAX.
4.6
2.7
2.75
0.7
1
1.7
1.7
5.2
2.7
10.4
MIN.
0.173
0.098
0.098
0.017
0.030
0.045
0.045
0.195
0.094
0.393
MAX.
0.181
0.106
0.108
0.027
0.039
0.067
0.067
0.204
0.106
0.409
A
B
D
E
F
F1
F2
G
G1
H
L2
L3
L4
L5
L6
L7
16
0.630
28.6
9.8
2.9
15.9
9
3
30.6
10.6
3.6
16.4
9.3
3.2
1.126
.0385
0.114
0.626
0.354
0.118
1.204
0.417
0.141
0.645
0.366
0.126
TO-220FP MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP21NM50N N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STW21NM50N N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STB21NM50N-1 N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STF3HNK90Z N-CHANNEL 900V - 3.5W - 3A TO-220 - TO-220FP Zener-Protected SuperMESHTM Power MOSFET
STP3HNK90Z N-CHANNEL 900V - 3.5W - 3A TO-220 - TO-220FP Zener-Protected SuperMESHTM Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB21NM50N-1 功能描述:MOSFET N-CHANNEL MFT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB21NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600 V 0.19 Ohm 17 A 2nd Gen MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB21NM60N- 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh? Power MOSFET
STB21NM60N-1 功能描述:MOSFET N-CHANNEL MFT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB21NM60ND 功能描述:MOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube