參數(shù)資料
型號： STW21NM50N
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
中文描述： N溝道500V - 0.15ohm - 18A條TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 MOSFET的第二代MDmesh
文件頁數(shù)： 1/16頁
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代理商： STW21NM50N
1/16
October 2005
STP21NM50N-STF21NM50N-STW21NM50N
STB21NM50N - STB21NM50N-1
N-CHANNEL 500V - 0.15
- 18A TO-220/FP/D
2
/I
2
PAK/TO-247
SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
Table 1: General Features
■
100% AVALANCHE TESTED
■
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE
CHARGE
■
LOW GATE INPUT RESISTANCE
DESCRIPTION
The
STx21NM50N
is realized with the second
generation of MDmesh Technology. This revolu-
tionary MOSFET associates a new vertical struc-
ture to the Company's strip layout to yield one of
the world's lowest on-resistance and gate charge.
It is therefore suitable for the most demanding high
efficiency converters
APPLICATIONS
The MDmesh II family is very suitable for in-
creasing power density of high voltage converters
allowing system miniaturization and higher effi-
ciencies.
Table 2: Order Codes
Figure 1: Package
Figure 2: Internal Schematic Diagram
TYPE
V
DSS
(@Tjmax)
R
DS(on)
I
D
STB21NM50N
STB21NM50N-1
STF21NM50N
STP21NM50N
STW21NM50N
550 V
550 V
550 V
550 V
550 V
< 0.19
< 0.19
< 0.19
< 0.19
< 0.19
18 A
18 A
18 A (*)
18 A
18 A
1
2
3
TO-220
D
2
PAK
1
2
3
TO-220FP
1
3
123
I
2
PAK
1
2
3
TO-247
SALES TYPE
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STB21NM50N
B21NM50N
D
2
PAK
TAPE & REEL
STB21NM50N-1
B21NM50N
I
2
PAK
TUBE
STF21NM50N
F21NM50N
TO-220FP
TUBE
STP21NM50N
P21NM50N
TO-220
TUBE
STW21NM50N
W21NM50N
TO-247
TUBE
Rev. 3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB21NM50N-1 N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STF3HNK90Z N-CHANNEL 900V - 3.5W - 3A TO-220 - TO-220FP Zener-Protected SuperMESHTM Power MOSFET
STP3HNK90Z N-CHANNEL 900V - 3.5W - 3A TO-220 - TO-220FP Zener-Protected SuperMESHTM Power MOSFET
STF724 NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS
STN724 NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW21NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600 V 0.18 Ohm 16 A 2nd Gen MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW21NM60ND 功能描述:MOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW220NF75 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW-22-12 制造商:AVID PRODUCTS 功能描述:
STW22N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:950V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:330 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:48nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1550pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標準包裝:30
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