參數(shù)資料
型號(hào)： STB190NF04-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
中文描述： N溝道40V的- 0.0039ohm - 120A條- D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET商標(biāo)第三功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/16頁(yè)
文件大小： 491K
代理商： STB190NF04-1
STP190NF04 - STB190NF04 - STB190NF04-1
Electrical ratings
3/16
1
Electrical ratings
Table 1.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
Drain-source voltage (V
GS
= 0)
Drain-gate voltage (R
GS
= 20 k
)
40
V
V
DGR
40
V
V
GS
Gate- source voltage
± 20
V
I
D(1)
1.
Value limited by package
Drain current (continuous) at
T
C
= 25°C
120
A
I
D(1)
Drain current (continuous) at
T
C
= 100°C
120
A
I
DM(2)
2.
Pulse width limited by safe operating area.
I
SD
≤
190A, di/dt
≤
600A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX
Starting T
j
= 25 °C, I
D
= 95A, V
DD
= 35V
Drain current (pulsed)
480
A
P
tot
Total dissipation at T
C
= 25°C
310
W
Derating factor
2.07
W/°C
dv/dt
(3)
3.
Peak diode recovery voltage slope
7
V/ns
E
AS (4)
4.
Single pulse avalanche energy
860
mJ
T
stg
Storage temperature
-55 to 175
°C
T
j
Max. operating junction
temperature
Table 2.
Thermal data
Rthj-case
Thermal resistance junction-case max
0.48
°C/W
Rthj-amb
Thermal resistance junction-ambient max
50
°C/W
T
J
Maximum lead temperature for soldering purpose
(1)
1.
for 10 sec. 1.6mm from case
300
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB190NF04T4 N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
STB19NF20 N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
STP19NF20 N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
STB20NK50Z RESISTOR ARRAY
STW20NK50Z N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB190NF04T4 功能描述:MOSFET N-Ch 40 Volt 190 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB19NB20 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 19 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB19NB20-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET
STB19NF20 功能描述:MOSFET 200V 0.15Ohm 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB19NM65N 功能描述:MOSFET N-Channel 650V 0.25 Ohms 15.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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