參數(shù)資料
型號： STB190NF04-1
廠商： 意法半導體
英文描述： N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
中文描述： N溝道40V的- 0.0039ohm - 120A條- D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET商標第三功率MOSFET
文件頁數(shù)： 12/16頁
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代理商： STB190NF04-1
Package mechanical data
STP190NF04 - STB190NF04 - STB190NF04-1
12/16
DIM.
mm.
inch
MIN.
TYP
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.40
4.60
0.173
0.181
A1
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b
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c
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c2
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D
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e
2.40
2.70
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0.106
e1
4.95
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0.194
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E
10
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L
13
14
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L1
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L2
1.27
1.40
0.050
0.055
TO-262 (I
2
PAK) MECHANICAL DATA
相關PDF資料
PDF描述
STB190NF04T4 N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
STB19NF20 N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
STP19NF20 N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
STB20NK50Z RESISTOR ARRAY
STW20NK50Z N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STB190NF04T4 功能描述:MOSFET N-Ch 40 Volt 190 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB19NB20 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 19 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB19NB20-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET
STB19NF20 功能描述:MOSFET 200V 0.15Ohm 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB19NM65N 功能描述:MOSFET N-Channel 650V 0.25 Ohms 15.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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