參數(shù)資料
型號(hào): ST103S08PFN0
英文描述: IC SRAM 16KX16 SYNC DUAL 100TQFP
中文描述: 800V的165A逆變晶閘管采用TO - 209AC(到94)封裝
文件頁(yè)數(shù): 9/9頁(yè)
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代理商: ST103S08PFN0
www.irf.com
ST103S Series
Bulletin I25183 rev. B 03/94
9
Fig. 15 - Gate Characteristics
Fig. 14 - Maximum On-state Energy Power Loss Characteristics
0.1
0.001
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
VGD
IGD
(b)
(a)
T
°
T
T
(1)
(2)
Instantaneous G ate C urrent (A)
I
Rectangular gate pulse
a) Rec ommended load line for
rated di/dt : 20V, 10ohms; tr<=1
μs
b) Recommended load line for
<=30% rated di/dt : 10V, 10ohms
tr<=1 μs
(1) PGM = 10W, tp = 20ms
(2) PGM = 20W, tp = 10ms
(3) PGM = 40W, tp = 5ms
(4) PGM = 60W, tp = 3.3ms
(3)
Device: ST103S Series
(4)
Frequency Limited by PG(AV)
1E1
1E2
1E3
1E4
1E5
1E1
1E2
1E3
1E4
1E4
1E1
Pulse Basewidth (
μs)
20 joules per pulse
2
1
0.5
0.2
0.1
10
5
P
3
ST103S Series
Sinusoida l pulse
tp
1E2
1E3
1E4
Pulse Basewidth (
μs)
20 joules per pulse
2
1
0.5
0.2
0.1
ST103S Series
Recta ngula r pulse
di/dt = 50A/
μs
10
5
tp
1E1
3
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PDF描述
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參數(shù)描述
ST103S08PFN0P 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Inverter Grade Thyristors (Stud Version), 105 A
ST103S08PFN1 功能描述:SCR 800 Volt 105 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
ST103S08PFN1P 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Inverter Grade Thyristors (Stud Version), 105 A
ST103S08PFN2 功能描述:SCR 105 Amp 800 Volt 165 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
ST103SP 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Inverter Grade Thyristors (Stud Version), 105 A