參數(shù)資料
型號： ST103S08PFN0
英文描述： IC SRAM 16KX16 SYNC DUAL 100TQFP
中文描述： 800V的165A逆變晶閘管采用TO - 209AC（到94）封裝
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 118K
代理商： ST103S08PFN0
ST103S SERIES
INVERTER GRADE THYRISTORS
Stud Version
105A
1
Bulletin I25183 rev. B 03/94
www.irf.com
Features
All diffused design
Center amplifying gate
Guaranteed high dv/dt
Guaranteed high di/dt
High surge current capability
Low thermal impedance
High speed performance
Typical Applications
Inverters
Choppers
Induction heating
All types of force-commutated converters
I
T(AV)
105
A
@ T
C
85
°C
I
T(RMS)
165
A
I
TSM
@
50Hz
3000
A
@ 60Hz
3150
A
I
2
t
@
50Hz
45
KA
2
s
@ 60Hz
41
KA
2
s
V
DRM
/V
RRM
400 to 800
V
t
q
range
10 to 25
μs
T
J
- 40 to 125
°C
Parameters
ST103S
Units
Major Ratings and Characteristics
case style
TO-209AC (TO-94)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ST103S04PFL0 64K/128K x 8/9 Dual-Port Static RAM
ST10F160BQ1 16-Bit Microcontroller
ST10F163AT1 32K/16K x 8, 32K x 9 Dual-Port Static RAM
ST10F163BT1 512K (32K x 16) Static RAM
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ST103S08PFN0P 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Inverter Grade Thyristors (Stud Version), 105 A
ST103S08PFN1 功能描述:SCR 800 Volt 105 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
ST103S08PFN1P 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Inverter Grade Thyristors (Stud Version), 105 A
ST103S08PFN2 功能描述:SCR 105 Amp 800 Volt 165 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
ST103SP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Inverter Grade Thyristors (Stud Version), 105 A
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