參數(shù)資料
型號(hào): ST103S08PFN0
英文描述: IC SRAM 16KX16 SYNC DUAL 100TQFP
中文描述: 800V的165A逆變晶閘管采用TO - 209AC(到94)封裝
文件頁數(shù): 2/9頁
文件大?。?/td> 118K
代理商: ST103S08PFN0
ST103S Series
Bulletin I25183 rev. B 03/94
2
www.irf.com
Voltage
Code
V
DRM
/V
RRM
, maximum
repetitive peak voltage
V
V
RSM
, maximum
non-repetitive peak voltage
V
I
DRM
/I
RRM
max.
@ T
J
= T
J
max.
mA
Type number
04
400
500
08
800
900
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
Frequency
Units
50Hz
400Hz
1000Hz
2500Hz
Recovery voltage Vr
Voltage before turn-on Vd
Rise of on-state current di/dt
280
310
320
340
50
180
200
200
210
50
440
470
480
490
50
330
300
310
320
50
4730
2500
1530
840
50
3630
1850
1090
580
50
A
V
DRM
V
DRM
V
DRM
50
50
-
-
-
-
A/
μ
s
°C
Case temperature
Equivalent values for RC circuit
60
22
/ 0.15μF
85
60
22
/ 0.15μF
85
60
22
/ 0.15μF
85
I
TM
180
o
el
180
o
el
100
μ
s
I
TM
I
TM
Current Carrying Capability
V
I
T(AV)
Max. average on-state current
@ Case temperature
105
85
A
°C
180° conduction, half sine wave
I
T(RMS)
Max. RMS on-state current
165
DC @ 76°C case temperature
I
TSM
Max. peak, one half cycle,
3000
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
3150
A
t = 8.3ms
reapplied
2530
t = 10ms
100% V
RRM
reapplied
2650
t = 8.3ms
Sinusoidal half wave,
I
2
t
Maximum I
2
t for fusing
45
t = 10ms
No voltage
Initial T
J
= T
J
max
41
t = 8.3ms
reapplied
32
t = 10ms
100% V
RRM
29
t = 8.3ms
reapplied
I
2
t
Maximum I
2
t for fusing
450
KA
2
s
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
Parameter
ST103S
Units
Conditions
On-state Conduction
KA
2
s
ST103S
30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ST103S04PFL0 64K/128K x 8/9 Dual-Port Static RAM
ST10F160BQ1 16-Bit Microcontroller
ST10F163AT1 32K/16K x 8, 32K x 9 Dual-Port Static RAM
ST10F163BT1 512K (32K x 16) Static RAM
ST10F166AQ1 IC SRAM 32KX18 3.3V ASYN 100TQFP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ST103S08PFN0P 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Inverter Grade Thyristors (Stud Version), 105 A
ST103S08PFN1 功能描述:SCR 800 Volt 105 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
ST103S08PFN1P 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Inverter Grade Thyristors (Stud Version), 105 A
ST103S08PFN2 功能描述:SCR 105 Amp 800 Volt 165 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
ST103SP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Inverter Grade Thyristors (Stud Version), 105 A