參數(shù)資料
型號(hào)： SST5460
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： MOSFET, N SO-8MOSFET, N SO-8; Transistor type:MOSFET; Transistor polarity:N; Voltage, Vds max:30V; Case style:SO-8; Current, Id cont:6.2A; Current, Idm pulse:30A; Power, Pd:1.5W; Resistance, Rds on:0.024R; SMD:1; Charge, gate
中文描述： P溝道JFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
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代理商： SST5460
2N/SST5460 Series
Vishay Siliconix
Document Number: 70262
S-04030—Rev. D, 04-Jun-01
www.vishay.com
9-1
P-Channel JFETs
2N5460
2N5461
2N5462
SST5460
SST5461
SST5462
Part Number
V
GS(off)
(V)
V
(BR)GSS
Min (V)
g
fs
Min (mS)
I
DSS
Min (mA)
2N/SST5460
0.75 to 6
40
1
–1
2N/SST5461
1 to 7.5
40
1.5
–2
2N/SST5462
1.8 to 9
40
2
–4
High Input Impedance
Very Low Noise
High Gain: A
V
= 80 @ 20 A
Low Capacitance: 1.2 pF Typical
Low Signal Loss/System Error
High System Sensitivity
High-Quality Low-Level Signal
Amplification
Low-Current, Low-Voltage Amplifiers
High-Side Switching
Ultrahigh Input Impedance
Pre-Amplifiers
The 2N/SST5460 series are p-channel JFETs designed to
provide all-around performance in a wide range of amplifier
and analog switch applications.
The 2N series, TO-226AA (TO-92), and SST series, TO-236
(SOT-23), plastic packages provide low cost options, and are
available in tape-and-reel for automated assembly, (see
Packaging Information).
TO-226AA
(TO-92)
Top View
S
G
D
1
2
3
D
S
G
TO-236
(SOT-23)
2
3
1
SST5460 (B0)*
SST5461 (B1)*
SST5462 (B2)*
*Marking Code for TO-236
Top View
2N5460
2N5461
2N5462
Gate-Drain Voltage
Gate-Source Voltage
Gate Current
Storage Temperature
Operating Junction Temperature
40 V
40 V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–10 mA
–65 to 150 C
–55 to 150 C
Lead Temperature (
1
/
16
” from case for 10 sec.)
Power Dissipation
a
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
300 C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
350 mW
Notes
a.
Derate 2.8 mW/ C above 25 C
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PDF描述
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SST5460-T1-E3 功能描述:JFET 55V 1mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
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SST5461-E3 功能描述:JFET 55V 2mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
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