參數(shù)資料
型號(hào)： SST38VF166
廠(chǎng)商： Silicon Storage Technology, Inc.
英文描述： RECTIFIER BRIDGE 4A 400V 150A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/TUBE
中文描述： 16兆位內(nèi)存FlashBank
文件頁(yè)數(shù)： 9/50頁(yè)
文件大小： 691K
代理商： SST38VF166
Data Sheet
16 Megabit FlashBank Memory
SST38VF166
9
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
327-3 2/01
S71065
TABLE
4: O
PERATION
M
ODES
S
ELECTION
FOR
F
LASH
B
ANK
Array Operation Mode
Read
Flash Bank 1
Flash Bank 2
Block-Erase
Flash Bank 1
Flash Bank 2
Sector-Erase
Flash Bank 1
Flash Bank 2
Program
Flash Bank 1
Flash Bank 2
Standby
Write Inhibit
Flash Bank 1
Flash Bank 2
Flash Bank-Erase
Flash Bank 1
Flash Bank 2
BE#1
BE#2
BE#3
OE#
WE#
DQ
Address
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
D
OUT
D
OUT
A
IN
A
IN
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
D
IN
D
IN
See Tables 6 and 7
See Tables 6 and 7
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
D
IN
D
IN
See Tables 6 and 7
See Tables 6 and 7
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
X
D
IN
D
IN
High Z
See Tables 6 and 7
See Tables 6 and 7
X
V
IH
X
X
X
X
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
X
X
V
IH
V
IL
V
IH
BE#1
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
V
IH
V
IL
BE#2
V
IH
V
IL
V
IL
X
V
IL
V
IH
V
IH
BE#3
V
IL
V
IL
X
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
OE#
V
IL
X
X
X
X
V
IL
V
IL
WE#
V
IH
X
X
X
X
D
IN
D
IN
DQ
D
OUT1
High Z
High Z
High Z
High Z
See Tables 6 and 7
See Tables 6 and 7
Status Operation Mode
Write Status Read
Illegal State
Illegal State
Illegal State
Illegal State
Product Identification
Flash Bank 1
Flash Bank 2
Common Flash Interface
Flash Bank 1
Flash Bank 2
Address
5XXXXH
X
2
X
2
X
2
X
2
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
D
OUT
D
OUT
See Tables 6 and 7
See Tables 6 and 7
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
D
OUT
D
OUT
See Tables 6 and 7
See Tables 6 and 7
T4.5 327
1. If Flash Bank 1 is writing, DQ
1
is low. If Flash Bank 2 is writing, DQ
2
is low. If E
2
Bank is writing, DQ
3
is low.
2. Entering an illegal state during an Erase, Program, or Write operation will not affect the operation, i.e., the erase, program, or write
will continue to normal completion.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SST38VF166-70-4C-EK RECTIFIER BRIDGE 4A 600V 150A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/TUBE
SST39SF010A 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
SST39SF040-70-4C-WH 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
SST39SF040-70-4I-NH 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
SST39SF040-70-4I-PH 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SST38VF166-70-4C-EK 制造商:SST 制造商全稱(chēng):Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:16 Megabit FlashBank Memory
SST38VF6401-90-5C-B3KE 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST38VF6401-90-5C-EKE 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST38VF6401-90-5C-EKE-T 功能描述:閃存 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+ RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST38VF6401-90-5I-B3KE 功能描述:閃存 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+ RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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