參數(shù)資料
型號： SST38VF166
廠商： Silicon Storage Technology, Inc.
英文描述： RECTIFIER BRIDGE 4A 400V 150A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/TUBE
中文描述： 16兆位內(nèi)存FlashBank
文件頁數(shù)： 14/50頁
文件大?。?/td> 691K
代理商： SST38VF166
14
Data Sheet
16 Megabit FlashBank Memory
SST38VF166
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
327-3 2/01
S71065
TABLE 14: CFI Q
UERY
I
DENTIFICATION
S
TRING
FOR
E
2
B
ANK
Address
10H
11H
12H
13H
14H
15H
16H
17H
18H
19H
1AH
Data
0051H
0052H
0059H
0001H
0009H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
Data
Query Unique ASCII string
“
QRY
”
Primary OEM command set (JEP-137)
Address for Primary Extended Table (00H = none exists)
Alternate OEM command set (00H = none exists)
Address for Alternate OEM extended Table (00H = none exits)
T14.1 327
TABLE 15: S
YSTEM
I
NTERFACE
I
NFORMATION
FOR
E
2
B
ANK
Address
1BH
Data
0027H
Data
V
DD
Min (Program/Erase)
DQ
7
-DQ
4
: Volts, DQ
3
-DQ
0
: 100 millivolts
V
DD
Max (Program/Erase)
DQ
7
-DQ
4
: Volts, DQ
3
-DQ
0
: 100 millivolts
V
PP
min. (00H = no V
PP
pin)
V
PP
max. (00H = no V
PP
pin)
Typical time out for Word-Program 2
N
μs
Typical time out for min. size Page-Write 2
N
μs (00H = not supported)
Typical time out for individual Sector-Erase 2
N
ms
Typical time out for Bank-Erase 2
N
ms
Maximum time out for Word-Program 2
N
times typical
Maximum time out for Page-Write 2
N
times typical (00H = not supported)
Maximum time out for individual Sector-Erase 2
N
times typical
Maximum time out for Chip-Erase 2
N
times typical
1CH
0036H
1DH
1EH
1FH
20H
21H
22H
23H
24H
25H
26H
0000H
0000H
0005H
0000H
0003H
0006H
0001H
0000H
0001H
0001H
T15.7 327
TABLE 16: D
EVICE
G
EOMETRY
I
NFORMATION
FOR
E
2
B
ANK
Address
27H
28H
29H
2AH
2BH
2CH
2DH
2EH
2FH
30H
Data
000DH
0001H
0000H
0001H
0000H
0001H
007FH
0000H
0001H
0000H
Data
Device size = 2
N
Byte (DH > 2
13
= 8 KBytes = 64 Kbits)
Flash Bank Device Interface description (Refer to CFI JESD-68) (x16 asynchronous)
Maximum number of bytes in Page-Write = 2
N
(00H = not supported)
Number of Erase Block Regions within device
Erase Block Region 1 Information (Sector)
(Refer to the CFI specification or JESD-68)
y = 127 + 1 = 128 sectors (007FH = 127)
z = 32 Bytes/sector = 1 x 256 Bytes
T16.4 327
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SST38VF166-70-4C-EK RECTIFIER BRIDGE 4A 600V 150A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/TUBE
SST39SF010A 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
SST39SF040-70-4C-WH 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
SST39SF040-70-4I-NH 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
SST39SF040-70-4I-PH 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SST38VF166-70-4C-EK 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:16 Megabit FlashBank Memory
SST38VF6401-90-5C-B3KE 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST38VF6401-90-5C-EKE 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST38VF6401-90-5C-EKE-T 功能描述:閃存 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+ RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST38VF6401-90-5I-B3KE 功能描述:閃存 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+ RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*