參數(shù)資料
型號： SST38VF166
廠商： Silicon Storage Technology, Inc.
英文描述： RECTIFIER BRIDGE 4A 400V 150A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/TUBE
中文描述： 16兆位內(nèi)存FlashBank
文件頁數(shù)： 17/50頁
文件大?。?/td> 691K
代理商： SST38VF166
Data Sheet
16 Megabit FlashBank Memory
SST38VF166
17
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
327-3 2/01
S71065
AC CHARACTERISTICS
TABLE 21: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
Symbol
T
RC
T
BE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
Parameter
Read Cycle Time
Bank Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
SST38VF166-70
Min
70
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Max
70
70
30
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
0
0
20
20
0
T21.1 327
TABLE 22: W
RITE
, E
RASE
, P
ROGRAM
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
Symbol
T
WC
T
BPE
T
BPF
T
SEF
T
LEF
T
BEF
T
SEE
T
BEE
T
AS
T
AH
T
BES
T
BEH
T
OES
T
OEH
T
WP
T
WPH
T
DS
T
DH
T
VDDR1
T
DBR
T
TBR
T
IDA
T
BS
Parameter
Word-Write Cycle (Erase and Program)
Word-Program Time - E
2
Bank
Word-Program Time - Flash Bank
Sector-Erase Time - Flash Bank
Block-Erase Time - Flash Bank
Bank-Erase Time - Flash Bank
Sector-Erase Time - E
2
Bank
Bank-Erase Time - E
2
Bank
Address Setup Time
Address Hold Time
BE# Setup Time
BE# Hold Time
OE# High Setup Time
OE# High Hold Time
Write Pulse Low Width
Write Pulse High Time
Data Setup Time
Data Hold Time
V
DD
Rise Time
Time to DATA# Polling Read
Time to Toggle Bit Read
Time to ID or CFI Read/Exit Cycle
Bank Enable Setup Time for Concurrent Operation
Min
Max
12.5
40
20
25
25
100
12.5
100
Units
ms
μs
μs
ms
ms
ms
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
0
40
0
0
0
0
40
30
40
0
0.1
35
35
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
50
150
0
T22.0 327
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SST38VF166-70-4C-EK RECTIFIER BRIDGE 4A 600V 150A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/TUBE
SST39SF010A 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
SST39SF040-70-4C-WH 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
SST39SF040-70-4I-NH 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
SST39SF040-70-4I-PH 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SST38VF166-70-4C-EK 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:16 Megabit FlashBank Memory
SST38VF6401-90-5C-B3KE 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST38VF6401-90-5C-EKE 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST38VF6401-90-5C-EKE-T 功能描述:閃存 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+ RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST38VF6401-90-5I-B3KE 功能描述:閃存 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+ RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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