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參數(shù)資料
| 型號： | SST34HF1621-90-4E-LFP |
| 廠商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2 / 4 Mbit SRAM ComboMemory |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, LFBGA-56 |
| 文件頁數(shù)： | 14/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 486K |
| 代理商： | SST34HF1621-90-4E-LFP |
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14
Data Sheet
16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2 / 4 Mbit SRAM ComboMemory
SST34HF1621 / SST34HF1641
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71172-05-000
10/01 523
AC CHARACTERISTICS
TABLE 12: SRAM R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
Symbol
T
RCS
T
AAS
T
BES
T
OES
T
BYES
T
BLZS1
T
OLZS1
T
BYLZS1
T
BHZS1
T
OHZS1
T
BYHZS1
T
OHS
Parameter
Read Cycle Time
Address Access Time
Bank Enable Access Time
Output Enable Access Time
UBS#, LBS# Access Time
BES# to Active Output
Output Enable to Active Output
UBS#, LBS# to Active Output
BES# to High-Z Output
Output Disable to High-Z Output
UBS#, LBS# to High-Z Output
Output Hold from Address Change
SST34HF1621/1641-70
Min
70
SST34HF1621/1641-90
Min
90
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Max
Max
70
70
35
70
90
90
45
90
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
0
0
0
0
0
0
25
25
35
35
35
45
10
10
T12.3 523
TABLE 13: SRAM W
RITE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
Symbol
T
WCS
T
BWS
T
AWS
T
ASTS
T
WPS
T
WRS
T
BYWS
T
ODWS
T
OEWS
T
DSS
T
DHS
Parameter
Write Cycle Time
Bank Enable to End-of-Write
Address Valid to End-of-Write
Address Set-up Time
Write Pulse Width
Write Recovery Time
UBS#, LBS# to End-of-Write
Output Disable from WE# Low
Output Enable from WE# High
Data Set-up Time
Data Hold from Write Time
SST34HF1621/1641-70
Min
70
60
60
0
60
0
60
SST34HF1621/1641-90
Min
90
80
80
0
80
0
80
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Max
Max
30
40
0
0
30
0
40
0
T13.3 523
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST34HF1641 | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2 / 4 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1641-70-4C-LFP | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2 / 4 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1641-70-4E-L1P | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2 / 4 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1641-70-4E-LFP | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2 / 4 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1641-90-4C-LFP | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2 / 4 Mbit SRAM ComboMemory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST34HF1621A-70-4C-LFP | 功能描述:閃存 16M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST34HF1621A-70-4C-LFPE | 功能描述:閃存 16M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST34HF1621A-70-4E-LFP | 功能描述:閃存 16M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST34HF1621A-70-4E-LFPE | 功能描述:閃存 16M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST34HF1621C | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4 Mbit SRAM ComboMemory |
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