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參數(shù)資料
| 型號： | SST34HF1621-90-4E-LFP |
| 廠商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2 / 4 Mbit SRAM ComboMemory |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, LFBGA-56 |
| 文件頁數(shù)： | 12/32頁 |
| 文件大小： | 486K |
| 代理商： | SST34HF1621-90-4E-LFP |
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12
Data Sheet
16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2 / 4 Mbit SRAM ComboMemory
SST34HF1621 / SST34HF1641
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71172-05-000
10/01 523
TABLE
8: DC O
PERATING
C
HARACTERISTICS
(V
DD
= V
DDF
AND
V
DDS
= 2.7-3.3V)
Symbol
I
DD
Parameter
Active V
DD
Current
Limits
Max
Test Conditions
Address input=V
IL
/V
IH
, at f=1/T
RC
Min,
V
DD
=V
DD
Max, all DQs open
OE#=V
IL
, WE#=V
IH
BEF#=V
IL
, BES1#=V
IH
,
or BES2=V
IL
BEF#=V
IH
, BES1#=V
IL ,
BES2=V
IH
BEF#=V
IH
, BES1#=V
IL ,
BES2=V
IH
Min
Units
Read
Flash
SRAM
35
20
60
mA
mA
mA
Concurrent Operation
Write
1
Flash
SRAM
Standby V
DD
Current
40
20
40
75
40
75
30
1
1
0.8
0.3
mA
mA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
V
V
V
V
V
V
V
V
BEF#=V
IL
, BES1#=V
IH
,
or BES2=V
IL
, OE#=V
IH
BEF#=V
IH
, BES1#=V
IL ,
BES2=V
IH
V
DD
= V
DD
Max, BEF#=BES1#=V
IHC
,
BES2=V
ILC
I
SB
3.0V
3.3V
I
ALP
I
RT
I
LI
I
LO
V
IL
V
ILC
V
IH
V
IHC
V
OLF
V
OHF
V
OLS
V
OHS
Auto Low Power Mode 3.0V
3.3V
Reset
V
DD
Current
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input Low Voltage (CMOS)
Input High Voltage
Input High Voltage (CMOS)
Flash Output Low Voltage
Flash Output High Voltage
SRAM Output Low Voltage
SRAM Output High Voltage
V
DD
=V
DD
Max, BEF#=V
ILC
, WE#=V
IHC
,
All I/O=V
ILC
/V
IHC
Reset=V
SS
±0.3V
V
IN
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
OUT
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Min
V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Max
I
OL
=100 μA, V
DD
=V
DD
Min
I
OH
=-100 μA, V
DD
=V
DD
Min
IOL =1 mA, V
DD
=V
DD
Min
IOH =-500 μA, V
DD
=V
DD
Min
0.7
V
DD
V
DD
-0.3
0.2
V
DD
-0.2
0.4
2.2
T8.6 523
1. I
DD
active while Erase or Program is in progress.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST34HF1641 | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2 / 4 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1641-70-4C-LFP | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2 / 4 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1641-70-4E-L1P | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2 / 4 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1641-70-4E-LFP | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2 / 4 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1641-90-4C-LFP | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2 / 4 Mbit SRAM ComboMemory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST34HF1621A-70-4C-LFP | 功能描述:閃存 16M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST34HF1621A-70-4C-LFPE | 功能描述:閃存 16M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST34HF1621A-70-4E-LFP | 功能描述:閃存 16M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST34HF1621A-70-4E-LFPE | 功能描述:閃存 16M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST34HF1621C | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4 Mbit SRAM ComboMemory |
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