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參數資料
| 型號： | SST29VE010-200-3I-N |
| 廠商： | Silicon Storage Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| 中文描述： | 1兆位（128K的× 8）頁模式的EEPROM |
| 文件頁數： | 5/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 900K |
| 代理商： | SST29VE010-200-3I-N |
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5
1998 Silicon Storage Technology, Inc.
304-04 12/97
1 Megabit Page Mode EEPROM
SST29EE010, SST29LE010, SST29VE010
1
2
3
4
5
6
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8
9
10
11
12
13
14
15
16
F
IGURE
2: P
IN
A
SSIGNMENTS
FOR
32-
PIN
P
LASTIC
DIP
S
AND
32-
LEAD
PLCC
S
F
IGURE
1: P
IN
A
SSIGNMENTS
FOR
32-
PIN
TSOP P
ACKAGES
304 MSW F01.1
304 MSW F02.1
T
ABLE
2: P
IN
D
ESCRIPTION
Symbol
A
16
-A
7
Pin Name
Row Address Inputs
Functions
To provide memory addresses. Row addresses define a page for a
write cycle.
Column Addresses are toggled to load page data.
A
6
-A
0
Column Address
Inputs
Data Input/output
DQ
7
-DQ
0
To output data during read cycles and receive input data during write
cycles. Data is internally latched during a write cycle. The outputs are in
tri-state when OE# or CE# is high.
To activate the device when CE# is low.
To gate the data output buffers.
To control the write operations
To provide 5-volt supply (± 10%) for the 29EE010, 3-volt supply (3.0-3.6V)
for the 29LE010 and 2.7-volt supply (2.7-3.6V) for the 29VE010
CE#
OE#
WE#
Vcc
Chip Enable
Output Enable
Write Enable
Power Supply
Vss
NC
Ground
No Connection
Unconnected pins.
304 PGM T2.0
Standard Pinout
Top View
Die up
OE#
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
Vss
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE#
Vcc
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
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32
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18
17
32-Lead PLCC
Top View
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
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25
24
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21
A14
A13
A8
A9
A11
OE#
A10
CE#
DQ7
DQ1 Vss DQ4 DQ6
DQ2 DQ3 DQ5
14 15 16 17 18 19 20
4 3 2 1 32 31 30
A15 NC WE#
A12 A16 Vcc NC
Top View
32-Pin PDIP
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
Vss
1
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Vcc
WE#
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE#
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
32
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST29VE010-200-3I-NH | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29VE010-200-3I-P | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29VE010-200-3I-PH | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29VE010-200-3I-U | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29VE010-200-3I-UH | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SST29VE010-200-4C-EH | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-EHE | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-NH | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-NHE | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-WH | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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