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參數(shù)資料
| 型號： | SST29VE010-200-3I-N |
| 廠商： | Silicon Storage Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| 中文描述： | 1兆位（128K的× 8）頁模式的EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 11/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 900K |
| 代理商： | SST29VE010-200-3I-N |
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11
1998 Silicon Storage Technology, Inc.
304-04 12/97
1 Megabit Page Mode EEPROM
SST29EE010, SST29LE010, SST29VE010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
T
ABLE
13: P
AGE
-W
RITE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
29EE010 29LE/VE010
Min
Max
10
0
50
0
0
0
0
70
70
35
0
0.05
100
200
10
20
Symbol
T
WC
T
AS
T
AH
T
CS
T
CH
T
OES
T
OEH
T
CP
T
WP
T
DS
T
DH
T
BLC(1)
T
BLCO(1)
T
IDA
T
SCE
Parameter
Write Cycle (erase and program)
Address Setup Time
Address Hold Time
WE# and CE# Setup Time
WE# and CE# Hold Time
OE# High Setup Time
OE# High Hold Time
CE# Pulse Width
WE# Pulse Width
Data Setup Time
Data Hold Time
Byte Load Cycle Time
Byte Load Cycle Time
Software ID Access and Exit Time
Software Chip Erase
Min
Max
10
Units
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
μs
μs
ms
0
70
0
0
0
0
120
120
50
0
0.05
200
100
10
20
Note:
(1)
This parameter is measured only for initial qualification and after the design or process change that could affect this parameter.
304 PGM T13.1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST29VE010-200-3I-NH | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29VE010-200-3I-P | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29VE010-200-3I-PH | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29VE010-200-3I-U | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29VE010-200-3I-UH | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST29VE010-200-4C-EH | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-EHE | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-NH | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-NHE | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-WH | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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