參數(shù)資料
型號: SST29VE010-200-3I-N
廠商: Silicon Storage Technology, Inc.
英文描述: 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM
中文描述: 1兆位(128K的× 8)頁模式的EEPROM
文件頁數(shù): 17/27頁
文件大?。?/td> 900K
代理商: SST29VE010-200-3I-N
17
1998 Silicon Storage Technology, Inc.
304-04 12/97
1 Megabit Page Mode EEPROM
SST29EE010, SST29LE010, SST29VE010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
F
IGURE
12: AC I
NPUT
/O
UTPUT
R
EFERENCE
W
AVEFORMS
304 MSW F12.0
F
IGURE
13: T
EST
L
OAD
E
XAMPLE
304 MSW F13.0
AC test inputs are driven at V
OH
(2.4 V
TTL
) for a logic “1” and V
OL
(0.4 V
TTL
) for a logic “0”. Measurement reference
points for inputs and outputs are V
IH
(2.0 V
TTL
) and V
IL
(0.8 V
TTL
). Inputs rise and fall times (10%
90%) are <10
ns.
REFERENCE POINTS
2.0
0.8
2.0
0.8
OUTPUT
INPUT
2.4
0.4
C
L
R
L
LOW
TO TESTER
TEST LOAD EXAMPLE
V
CC
R
L
HIGH
TO DUT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SST29VE010-200-3I-NH 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM
SST29VE010-200-3I-P 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM
SST29VE010-200-3I-PH 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM
SST29VE010-200-3I-U 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM
SST29VE010-200-3I-UH 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM
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參數(shù)描述
SST29VE010-200-4C-EH 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29VE010-200-4C-EHE 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29VE010-200-4C-NH 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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