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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SST29LE010A |
| 廠商： | Silicon Storage Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| 中文描述： | 1兆位（128K的× 8）頁(yè)模式的EEPROM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/26頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 273K |
| 代理商： | SST29LE010A |
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10
1999 Silicon Storage Technology, Inc.
303-01 2/99
1 Megabit Page Mode EEPROM
SST29EE010A / SST29LE010A / SST29VE010A
T
ABLE
11: SST29LE010A R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
SST29LE010A-150 SST29LE010A-200
Min
Max
150
150
150
60
0
0
30
30
0
Symbol
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ(1)
T
OLZ(1)
T
CHZ(1)
T
OHZ(1)
T
OH(1)
Parameter
Read Cycle time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
Min
200
Max
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
200
200
100
0
0
50
50
0
303 PGM T11.0
AC CHARACTERISTICS
T
ABLE
10: SST29EE010A R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
SST29EE010A-90 SST29EE010A-120
Min
Max
90
90
90
40
0
0
30
30
0
Symbol
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ(1)
T
OLZ(1)
T
CHZ(1)
T
OHZ(1)
T
OH(1)
Parameter
Read Cycle time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address
Change
Min
120
Max
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
120
120
50
0
0
30
30
0
303 PGM T10.0
T
ABLE
12: SST29VE010A R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
SST29VE010A-200 SST29VE010A-250
Min
Max
200
200
200
100
0
0
50
50
0
Symbol
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ(1)
T
OLZ(1)
T
CHZ(1)
T
OHZ(1)
T
OH(1)
Parameter
Read Cycle time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
Min
250
Max
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
250
250
120
0
0
50
50
0
303 PGM T12.0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST29VE010A | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29LE010 | 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM(1 M(128K x8)按頁(yè)存取模式EEPROM) |
| SST29VE010 | 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM(1 M(128K x8)按頁(yè)存取模式EEPROM) |
| SST29LE512-90-4I-PH | 512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
| SST29VE512-250-4C-EH | 512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST29LE010A-120-4C-E | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29LE010A-120-4C-EH | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29LE010A-120-4C-N | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29LE010A-120-4C-NH | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29LE010A-120-4C-P | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
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