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參數(shù)資料
| 型號： | SSM3K03FE |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type |
| 中文描述： | 東芝場效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山類型 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 171K |
| 代理商： | SSM3K03FE |
SSM3K03FE
2003-03-27
1
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
SSM3K03FE
High Speed Switching Applications
Analog Switch Applications
2.5 V gate drive
High input impedance
Low gate threshold voltage: V
th
= 0.7~1.3 V
Small package
Maximum Ratings
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Drain-source voltage
V
DS
20
V
Gate-source voltage
V
GSS
10
V
DC drain current
I
D
100
mA
Drain power dissipation
P
D
100
mW
Channel temperature
T
ch
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55~150
°C
Marking
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-2HA1B
Weight: 2.3 mg (typ.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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