參數(shù)資料
型號： SN74V3680-10PEU
廠商： Texas Instruments, Inc.
英文描述： 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
中文描述： 的3.3V的CMOS先入先出存儲器
文件頁數(shù)： 32/50頁
文件大?。?/td> 729K
代理商： SN74V3680-10PEU
S
1
3
×
×
×
×
×
×
S
–
–
3
P
tOE
WCLK
RCLK
WD
tENH
tENS
WEN
tsk1
(see Note A)
1
2
tDH
tDS
D0
–
D17
tENS
tENS
REN
OE
tOHZ
tA
tA
tA
tA
tA
tA
tREF
Q0
–
Q17
tPAES
tHF
tPAFS
tWFF
tWFF
OR
PAE
HF
PAF
IR
W1
W1
W2
W3
W(m+3)
Wm+2
W(m+4)
W
W
W(D-n-1)
W(D-n)
W(D-n+2)
W(D-1)
WD
NOTES: A. tsk1 is the minimum time between a rising RCLK edge and a rising WCLK edge to ensure that IR goes low after one WCLK cycle + tWFF. If the time between the rising
edge of RLCK and the rising edge of WCLK is less than tsk1, IR assertion may be delayed an additional WCLK cycle.
B. tsk2 is the minimum time between a rising RCLK edge and a rising WCLK edge to ensure that PAF to goes high after one WCLK cycle + tPAFS. If the time between the
rising edge of RCLK and the rising edge of WCLK is less than tsk2, PAF deassertion may be delayed an additional WCLK cycle.
C. LD = high
D. n = PAE offset, m = PAF offset, D = maximum FIFO depth
E. D = 1025 for the SN74V3640, D = 2049 for the SN74V3650, D = 8193 for the SN74V3670, D = 16385 for the SN74V3680, and D = 32769 for the SN74V3690
tsk2
(see Note B)
2
1
W(D-n+1)
D
–
1
2
1
D
–
1
2
2
Figure 7. Read Timing (FWFT Mode)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SN74V3640-10PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V3640-15PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V3650-10PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V3650-15PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V3650-6PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SN74V3680-15PEU 功能描述:先進先出 16384 x 36 Synch 先進先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3680-6PEU 功能描述:先進先出 16384 x 36 Synch 先進先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3680-7PEU 功能描述:先進先出 16384 x 36 Synch 先進先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3690-10PEU 功能描述:先進先出 32768 x 36 Synch 先進先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3690-15PEU 功能描述:先進先出 32768 x 36 Synch 先進先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
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