參數(shù)資料
型號(hào)： SN74V3680-10PEU
廠商： Texas Instruments, Inc.
英文描述： 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
中文描述： 的3.3V的CMOS先入先出存儲(chǔ)器
文件頁數(shù)： 19/50頁
文件大小： 729K
代理商： SN74V3680-10PEU
SN74V3640, SN74V3650, SN74V3660, SN74V3670, SN74V3680, SN74V3690
1024
×
36, 2048
×
36, 4096
×
36, 8192
×
36, 16384
×
36, 32768
×
36
3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SCAS668A
–
NOVEMBER 2001
–
REVISED MARCH 2003
19
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
synchronous vs asynchronous programmable flag timing selection
The SN74V3640, SN74V3650, SN74V3660, SN74V3670, SN74V3680, and SN74V3690 can be configured
during the master reset cycle, with either synchronous or asynchronous timing for PAF and PAE, by use of the
PFM pin.
If synchronous PAF/PAE configuration is selected (PFM high during MRS), PAF is asserted and updated on the
rising edge of WCLK only and not RCLK. Similarly, PAE is asserted and updated on the rising edge of RCLK
only, and not WCLK (see Figure 17 for synchronous PAF timing and Figure 18 for synchronous PAE timing).
If asynchronous PAF/PAE configuration is selected (PFM low during MRS), PAF is asserted low on the
low-to-high transition of WCLK, and PAF is reset to high on the low-to-high transition of RCLK. Similarly, PAE
is asserted low on the low-to-high transition of RCLK. PAE is reset to high on the low-to-high transition of WCLK.
See Figure 19 for asynchronous PAF timing and Figure 20 for asynchronous PAE timing.
Table 3. Status Flags for Standard Mode
SN74V3640
0
SN74V3650
0
SN74V3660
0
SN74V3670
0
FF
H
PAF
H
HF
H
PAE
L
EF
L
Number of
Words in
FIFO (see
Note 8)
1 to n
1 to n
1 to n
1 to n
H
H
H
L
H
(n + 1) to 512
(n + 1) to 1024
(n + 1) to 2048
(n + 1) to 4096
H
H
H
H
H
513 to
[1024
–
(m + 1)]
1025 to
[2048
–
(m + 1)]
2049 to
[4096
–
(m + 1)]
4097 to
[8192
–
(m + 1)]
H
H
L
H
H
(1024
–
m) to 1023
1024
(2048
–
m) to 2047
2048
(4096
–
m) to 4095
4096
(8192
–
m) to 8191
8192
H
L
L
L
L
L
H
H
H
H
SN74V3680
SN74V3690
FF
PAF
HF
PAE
EF
0
0
H
H
H
L
L
Number of
d i
Words in
FIFO (see
Note 8)
1 to n
1 to n
H
H
H
L
H
(n + 1) to 8192
(n + 1) to 16384
H
H
H
H
H
8193 to [16384
–
(m + 1)]
16385 to [32768
–
(m + 1)]
H
H
L
H
H
(16384
–
m) to 16383
16384
(32768
–
m) to 32767
32768
H
L
L
L
L
L
H
H
H
H
NOTE 8: See Table 2 for values for n, m.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SN74V3640-10PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V3640-15PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V3650-10PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V3650-15PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V3650-6PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SN74V3680-15PEU 功能描述:先進(jìn)先出 16384 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3680-6PEU 功能描述:先進(jìn)先出 16384 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3680-7PEU 功能描述:先進(jìn)先出 16384 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3690-10PEU 功能描述:先進(jìn)先出 32768 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3690-15PEU 功能描述:先進(jìn)先出 32768 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
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