參數(shù)資料
型號(hào)： SN74V3650-15PEU
廠(chǎng)商： Texas Instruments, Inc.
英文描述： 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
中文描述： 的3.3V的CMOS先入先出存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù)： 31/50頁(yè)
文件大?。?/td> 729K
代理商： SN74V3650-15PEU
3
S
1
S
–
–
×
×
×
×
×
×
P
3
W2
1
1
WCLK
D0
–
D17
tENS
WEN
tDH
tDS
tDS
tDS
tDS
tENH
W1
W3
W4
W(n+2)
W(n+3)
W(n+4)
W
W
W
W(D-m-1)
W(D-m)
W(D-m+2)
tsk1 (see Note A)
RCLK
REN
Q0
–
Q17
1
2
3
tA
Data in Output Register
W1
tREF
OR
tsk2 (see Note B)
tPAES
PAE
tHF
HF
tPAFS
PAF
tWFF
IR
NOTES: A. tsk1 is the minimum time between a rising WCLK edge and a rising RCLK edge to ensure that OR goes low after two RCLK cycles + tREF. If the time between the rising
edge of WLCK and the rising edge of RCLK is less than tsk1, OR assertion can be delayed one additional RCLK cycle.
B. tsk2 is the minimum time between a rising WCLK edge and a rising RCLK edge to ensure that PAE goes high after one RCLK cycle + tPAES. If the time between the
rising edge of WCLK and the rising edge of RCLK is less than tsk2, PAE deassertion can be delayed one additional RCLK cycle.
C. LD = high, OE = low
D. n = PAE offset, m = PAF offset, D = maximum FIFO depth
E. D = 1025 for the SN74V3640, D = 2049 for the SN74V3650, D = 4097 for the SN74V3660, D = 8193 for the SN74V3670, D = 16385 for the SN74V3680, and D = 32769
for the SN74V3690
F. First-data-word latency: tsk1 + 2tRCLK + tREF
1
2
2
W(D-m+1)
W(D-1)
W(D)
D
–
1
2
2
D
–
1
2
1
D
–
1
2
3
Figure 6. Write Timing (FWFT Mode)
PRODUCT PREVIEW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SN74V3650-6PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V3660-10PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V3660-15PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V3670-10PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V3670-15PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SN74V3650-6PEU 功能描述:先進(jìn)先出 2048 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:18 bit 總線(xiàn)定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類(lèi)型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3650-7PEU 功能描述:先進(jìn)先出 2048 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:18 bit 總線(xiàn)定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類(lèi)型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3660-10PEU 功能描述:先進(jìn)先出 4096 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:18 bit 總線(xiàn)定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類(lèi)型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3660-15PEU 功能描述:先進(jìn)先出 4096 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:18 bit 總線(xiàn)定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類(lèi)型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3660-6PEU 功能描述:先進(jìn)先出 4096 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:18 bit 總線(xiàn)定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類(lèi)型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
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