型號: | SN74V3660-10PEU |
廠商: | Texas Instruments, Inc. |
英文描述: | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
中文描述: | 的3.3V的CMOS先入先出存儲器 |
文件頁數: | 1/50頁 |
文件大?。?/td> | 729K |
代理商: | SN74V3660-10PEU |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
SN74V3660-15PEU | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
SN74V3670-10PEU | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
SN74V3670-15PEU | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
SN74V3690-15PEU | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
SN75108AN | DUAL LINE RECEIVERS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
SN74V3660-15PEU | 功能描述:先進先出 4096 x 36 Synch 先進先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數量: 數據總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: |
SN74V3660-6PEU | 功能描述:先進先出 4096 x 36 Synch 先進先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數量: 數據總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: |
SN74V3660-7PEU | 功能描述:先進先出 4096 x 36 Synch 先進先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數量: 數據總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: |
SN74V3670-10PEU | 功能描述:先進先出 8192 x 36 Synch 先進先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數量: 數據總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: |
SN74V3670-15PEU | 功能描述:先進先出 8192 x 36 Synch 先進先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數量: 數據總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: |