參數(shù)資料
型號(hào): SN74V3660-10PEU
廠商: Texas Instruments, Inc.
英文描述: 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
中文描述: 的3.3V的CMOS先入先出存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù): 29/50頁(yè)
文件大?。?/td> 729K
代理商: SN74V3660-10PEU
SN74V3640, SN74V3650, SN74V3660, SN74V3670, SN74V3680, SN74V3690
1024
×
36, 2048
×
36, 4096
×
36, 8192
×
36, 16384
×
36, 32768
×
36
3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SCAS668A
NOVEMBER 2001
REVISED MARCH 2003
29
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
tCLKH
tENS
tENS
tDS
tWFF
tWFF
tWFF
Data Read
Next Data Read
Data in Output Register
tENH
tENH
tsk1
(see Note A)
tsk1
(see Note A)
tCLKH
WEN
RCLK
REN
WCLK
1
2
1
2
Dx
Dx + 1
FF
tDS
tWFF
tA
tA
Q0
Qn
D0
Dn
tDH
tDH
No Write
tCLK
No Write
NOTES: A. tsk1 is the minimum time between a rising RCLK edge and a rising WCLK edge to ensure that FF goes high (after one
WCLK cycle + tWFF). If the time between the rising edge of the RCLK and the rising edge of the WCLK is less than tsk1, FF
deassertion can be delayed one additional WCLK cycle.
B. LD = high, OE = low, EF = high
Figure 4. Write Cycle and Full Flag Timing (Standard Mode)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SN74V3660-15PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V3670-10PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V3670-15PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V3690-15PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN75108AN DUAL LINE RECEIVERS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SN74V3660-15PEU 功能描述:先進(jìn)先出 4096 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3660-6PEU 功能描述:先進(jìn)先出 4096 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3660-7PEU 功能描述:先進(jìn)先出 4096 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3670-10PEU 功能描述:先進(jìn)先出 8192 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3670-15PEU 功能描述:先進(jìn)先出 8192 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: