參數(shù)資料
型號： SIDC14D120E
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 15 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： DIE
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： SIDC14D120E
Preliminary
SIDC14D120E
Edited by INFINEON technologies AI IP DD HV2, L 4172F, Edition 1, 30.08.2000
CHIP DRAWING:
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SIHF640L-E3 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
SIHF640STR-E3 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
SIHF730S-E3 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
SIHF830-E3 4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
SIHFP260-E3 46 A, 200 V, 0.055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
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參數(shù)描述
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SIDC14D120F6 功能描述:DIODE FAST SW 1200V 15A WAFER RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SIDC14D120H6 功能描述:DIODE FAST SW 1200V 25A WAFER RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SIDC14D60C6 功能描述:DIODE FAST SW 600V 50A WAFER RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SIDC14D60C6_07 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast switching diode chip in EMCON 3 -Technology small temperature coefficient
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