參數(shù)資料
型號： SI9953DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道20 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： SI9953DY
Si9953DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
4
Document Number: 70138
S-00652—Rev. K, 27-Mar-00
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
–
r
D
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
T
J
– Temperature ( C)
0.010
0
25
30
5
15
20
0.100
1
30
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
2
4
6
8
10
–0.4
–0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 2.3 A
0.2
0.4
20
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
30
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
Single Pulse
0.02
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 62.5 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
1
V
V
G
1.6
10
10
I
D
= 250
μ
A
10
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PDF描述
SI9958DY Complementary 20-V (D-S) MOSFET
SI9961 12-V Voice Coil Motor Driver
Si9976 N-Channel Half-Bridge Driver
SI9976DY N-Channel Half-Bridge Driver
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參數(shù)描述
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SI9953DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-Pin SOIC N T/R
SI9955DY 功能描述:MOSFET SO8 DUAL NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9956DY 功能描述:MOSFET 20V 3.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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