參數(shù)資料
型號： SI9928DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Complimentary 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： 免費(fèi)20 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 6/6頁
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代理商： SI9928DY
Si9928DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
6
Document Number: 70143
S-00652—Rev. G, 27-Mar-00
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
–
r
D
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
T
J
– Temperature ( C)
Time (sec)
P
–1
–0.5
0.0
0.5
1.0
–50
0
50
100
150
0.05
0.08
0.11
0.14
0.17
0.20
0
2
4
6
8
0
5
10
15
20
25
10
–2
10
–1
1
10
30
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
2
1
0.1
0.01
I
D
= 3.2 A
I
D
= 250
μ
A
10
1
10
–3
10
–2
1
10
30
10
–1
10
–4
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 62.5 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
V
V
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI9933ADY Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI9933DY Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
SI9933BDY-T1-E3 Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9933BDY Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9933BDY-E3 Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI9928DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 20V 5A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
SI9933ADY 功能描述:MOSFET SO8 DUAL PCH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9933ADY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 8-Pin SOIC N T/R
SI9933BDY 功能描述:MOSFET DUAL PCH POWER TRENCH MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9933BDY-E3 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 8-Pin SOIC N
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