型號: | SI9933ADY |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
元件分類: | MOSFETs |
英文描述: | Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
中文描述: | 雙P溝道20 - V(下局副局長)MOSFET的 |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 48K |
代理商: | SI9933ADY |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SI9933DY | Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
SI9933BDY-T1-E3 | Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
SI9933BDY | Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
SI9933BDY-E3 | Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
SI9933ADY | Dual P-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SI9933ADY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
SI9933BDY | 功能描述:MOSFET DUAL PCH POWER TRENCH MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI9933BDY-E3 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 8-Pin SOIC N |
SI9933BDY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 8-Pin SOIC N T/R |
SI9933BDY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET -20V P-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |