參數(shù)資料
型號(hào)： SI9928DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Complimentary 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： 免費(fèi)20 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
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代理商： SI9928DY
Si9928DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70143
S-00652—Rev. G, 27-Mar-00
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
5
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
–
r
D
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
–50
0
50
100
150
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0
1
2
3
4
5
6
0
500
1000
1500
2000
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
–55 C
V
GS
= 2.7 V
C
rss
C
oss
C
iss
V
GS
= 4.5 V
T
C
= 125 C
V
DS
= 6 V
I
D
= 3.2 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.2 A
V
GS
= 5, 4 V
2, 1 V
3 V
25 C
V
GS
= 3 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI9933ADY Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI9933DY Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
SI9933BDY-T1-E3 Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9933BDY Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9933BDY-E3 Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI9933ADY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 8-Pin SOIC N T/R
SI9933BDY 功能描述:MOSFET DUAL PCH POWER TRENCH MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9933BDY-E3 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 8-Pin SOIC N
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