參數(shù)資料
型號： SI9424
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 單P溝道MOSFET的為2.5V指定的PowerTrench
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： SI9424
Si9424BDY
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72015
S-21785
—
Rev. A, 07-Oct-02
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
-0.6
-0.4
-0.2
-0.0
0.2
0.4
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Threshold Voltage
T
J
- Temperature ( C)
I
D
= 250 A
V
V
0
60
100
20
40
P
Single Pulse Power
Time (sec)
80
10
- 3
10
- 2
1
10
600
10
- 1
10
- 4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 80 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
Notes:
P
DM
1
100
10
10
- 1
10
- 3
Safe Operating Area
100
1
0.1
1
10
100
Limited
by r
DS(on)
0.01
10
T
= 25 C
Single Pulse
10 ms
100 ms
1 s
10 s
100 s
dc
-
I
D
0.1
10 s, 100 s
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
10
- 2
1 ms
相關PDF資料
PDF描述
SI9424DY Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI9428DY N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9428DY-T1 N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9430DY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI9430DY Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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SI9424BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9424DY 功能描述:MOSFET Single P-Ch 20V/10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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