參數(shù)資料
型號： SI9424
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 單P溝道MOSFET的為2.5V指定的PowerTrench
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 44K
代理商： SI9424
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
Si9424BDY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72015
S-21785—Rev. A, 07-Oct-02
www.vishay.com
1
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.025 @ V
GS
= -4.5 V
-7.1
-20
0.033 @ V
GS
= -2.5 V
- 6.1
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
S
G
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-20
Gate-Source Voltage
V
GS
9
V
T
A
= 25 C
- 7.1
-5.6
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 70 C
I
D
-5.6
-4.5
Pulsed Drain Current
I
DM
-30
A
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-1.7
-1.0
T
A
= 25 C
2.0
1.25
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 70 C
P
D
1.3
0.8
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
10 sec
50
62.5
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
80
100
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
30
40
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI9424DY Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI9428DY N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9428DY-T1 N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9430DY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI9430DY Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI9424BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9424DY 功能描述:MOSFET Single P-Ch 20V/10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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