參數資料
型號： SI7948DP-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙N溝道60 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數： 1/5頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： SI7948DP-T1
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
New Low Thermal Resistance PowerPAK
Dual MOSFET for Space Savings
Package
APPLICATIONS
Automotive
- ABS
- Coil Driver
- Load Switch
Si7948DP
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72403
S-31867—Rev. A, 15-Sep-03
www.vishay.com
1
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
60
0.075 @ V
GS
= 10 V
0.100 @ V
GS
= 4.5 V
4.6
4.0
N-Channel MOSFET
D
1
G
1
S
1
N-Channel MOSFET
D
2
G
2
S
2
1
2
3
4
5
6
7
8
S1
G1
S2
G2
D1
D1
D2
D2
6.15 mm
5.15 mm
Bottom View
PowerPAK SO-8
Ordering Information:
Si7948DP-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
60
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
4.6
3.0
T
A
= 70 C
3.6
2.4
Pulsed Drain Current
I
DM
15
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
2.7
1.2
Single Avalanche Current
L = 0.1 mH
I
AS
15
Single Avalanche Energy
E
AS
11
mJ
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
3.3
1.4
W
T
A
= 70 C
2.1
0.9
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
29
38
Steady State
60
85
C/W
Maximum Junction-to-Case (Drain)
Steady State
R
thJC
4.0
5.2
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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PDF描述
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參數描述
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SI7948DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 60V 75mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7949DP-T1-E3 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 60V (D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7949DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 5.0A 3.5W 64mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7956DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
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