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參數資料
| 型號： | SI6975DQ |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| 中文描述： | 雙P溝道12 V的（副）MOSFET的 |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | SI6975DQ |
Si6975DQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71319
S-02318
—
Rev. A, 23-Oct-00
www.vishay.com
3
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800
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r
D
)
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V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
V
DS
= 6 V
I
D
= 5.1 A
I
D
–
Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
I
D
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
–
Q
g
–
Total Gate Charge (nC)
C
–
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
–
Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
2
4
6
8
T
J
= 25 C
I
D
= 5.1 A
30
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
r
D
)
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 150 C
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 1.8 V
C
oss
C
iss
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI6991DQ | Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI6991DQT-1 | Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI6991DQ-T1 | Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI6993DQ-T1 | Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI6993DQ | Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| SI6975DQ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 5.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI6975DQ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 5.1A 1.14W 27mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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