參數(shù)資料
型號(hào)： SI6991DQ-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道30V的（D-S）MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 44K
代理商： SI6991DQ-T1
FEATURES
TrenchFET Power MOSFETS
APPLICATIONS
Load Switch
Battery Switch
Si6991DQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72230
S-31066—Rev. A, 26-May-03
www.vishay.com
1
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
-30
0.040 @ V
GS
= -10 V
-4.2
0.068 @ V
GS
= -4.5 V
-3.2
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
2
S
2
S
2
G
2
TSSOP-8
Top View
S
1
G
1
D
1
P-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
2
P-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si6991DQ T-1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
-4.2
-3.6
T
A
= 70 C
-3.3
-2.8
A
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
-30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-1.0
-0.70
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.14
0.83
W
T
A
= 70 C
0.73
0.53
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
86
110
Steady State
124
150
C/W
Maximum Junction-to-Foot
Steady State
R
thJF
59
75
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6993DQ-T1 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI6993DQ Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7116DN N-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7212DN Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Si7212DN-T1-E3 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI6993DQ 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI6993DQ_06 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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