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參數(shù)資料
| 型號： | SI6975DQ |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| 中文描述： | 雙P溝道12 V的（副）MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | SI6975DQ |
Si6975DQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71319
S-02318—Rev. A, 23-Oct-00
www.vishay.com
1
Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.027 @ V
GS
= –4.5 V
–5.1
–12
0.035 @ V
GS
= –2.5 V
–4.5
0.046 @ V
GS
= –1.8 V
–3.9
Si6975DQ
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
2
S
2
S
2
G
2
TSSOP-8
Top View
S
1
G
1
D
1
P-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
2
P-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–12
Gate-Source Voltage
V
GS
8
V
T
A
= 25 C
–5.1
–4.3
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 70 C
I
D
–4.1
–3.5
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
–30
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
–1.0
–0.7
T
A
= 25 C
1.14
0.83
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 70 C
P
D
0.73
0.53
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
10 sec
86
110
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
124
150
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
52
65
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI6991DQ | Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI6991DQT-1 | Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI6991DQ-T1 | Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI6993DQ-T1 | Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI6993DQ | Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI6975DQ-T1 | 功能描述:MOSFET 12V 5.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI6975DQ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 5.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI6975DQ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 5.1A 1.14W 27mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI6981DQ | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI6981DQ_06 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
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