參數(shù)資料
型號(hào)： SI6973DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道的1.8 V（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： SI6973DQ
Si6973DQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71190
S-01058—Rev. A, 22-May-00
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-3
–
r
D
)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
–50
–25
0
25
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75
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125
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1
2
3
4
5
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5
10
15
20
25
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
6
12
18
24
30
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
V
DS
= 10 V
I
D
= 4.8 A
I
D
– Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 4.8 A
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0
2
4
6
8
10
T
J
= 25 C
I
D
= 4.8 A
30
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
r
D
)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 150 C
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 1.8 V
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
4
8
12
16
20
C
oss
C
iss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6975DQ Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI6991DQ Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI6991DQT-1 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI6991DQ-T1 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI6993DQ-T1 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI6973DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.8A 4.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6973DQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.8A 1.14W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6975DQ 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
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