參數(shù)資料
型號(hào)： SI6969DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道的1.8 V（GS）的MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 48K
代理商： SI6969DQ
Si6969DQ
Vishay Siliconix
Document Number: 70828
S-59527—Rev. A, 19-Oct-98
www.vishay.com
2-1
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.034 @ V
GS
= -4.5 V
0.050 @ V
GS
= -2.5 V
0.075 @ V
GS
= -1.8 V
4.6
-12
3.8
3.0
Si6969DQ
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
2
S
2
S
2
G
2
TSSOP-8
Top View
S
1
G
1
D
1
S
2
G
2
D
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-12
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a, b
T
A
= 25 C
I
D
4.6
T
A
= 70 C
3.8
A
Pulsed Drain Current
I
DM
I
S
30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a, b
-1.25
Maximum Power Dissipation
a, b
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
P
D
1.1
W
0.72
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction to Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
10 sec
R
thJA
110
C/W
Steady State
115
Notes
a.
b.
Surface Mounted on FR4 Board.
t
10 sec.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6981DQT-1 Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI6981DQ Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI6981DQ-T1 Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Si7120DN N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7136DP-RC R-C Thermal Model Parameters
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI6969DQ-T1 功能描述:MOSFET 12V 4.6A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6969DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 4.6A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6969DQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 4.6A 1.1W 34mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6973DQ 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI6973DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 4.8A 4.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*