參數(shù)資料
型號(hào)： SI6981DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道20 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 42K
代理商： SI6981DQ
FEATURES
TrenchFET Power MOSFETS
APPLICATIONS
Load Switch
Battery Switch
Si6981DQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72226
S-31065—Rev. A, 26-May-03
www.vishay.com
1
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.031 @ V
GS
= -4.5 V
-4.8
-20
0.041 @ V
GS
= -2.5 V
-4.2
0.058 @ V
GS
= -1.8 V
-3.5
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
2
S
2
S
2
G
2
TSSOP-8
Top View
S
1
G
1
D
1
P-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
2
P-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si6981DQ T-1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
-4.8
-4.1
T
A
= 70 C
-3.9
-3.2
A
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
-30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-1.0
-0.7
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.14
0.83
W
T
A
= 70 C
0.73
0.53
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
86
110
Steady State
124
150
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
59
75
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6981DQ-T1 Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Si7120DN N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7136DP-RC R-C Thermal Model Parameters
SI7200E SENSOR 5PSIG 1/2NPT .5-4.5V 12,3
SI7230E SENSOR 30PSIG 1/2NPT .5-4.5V 12,3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI6981DQ_06 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI6981DQ-T1 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI6981DQT-1 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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SI6981DQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.8A 1.14W 31mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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