參數(shù)資料
型號： SI6963BDQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel MOSFET, 2.5V(G-S) , -20V(D-S)
中文描述： 雙P溝道MOSFET，2.5V（G-S），- 20V（D-S）
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： SI6963BDQ
Si6963BDQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72772
S-40439—Rev. A, 15-Mar-04
www.vishay.com
1
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.045 @ V
GS
=
4.5 V
3.9
20
0.080 @ V
GS
=
2.5 V
3.0
Si6963BDQ
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
2
S
2
S
2
G
2
TSSOP-8
Top View
S
1
G
1
D
1
P-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
2
P-Channel MOSFET
Ordering Information: Si6963BDQ-T1—E3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 sec
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
12
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
3.9
3.4
T
A
= 70 C
3.1
2.7
A
Pulsed Drain Current
I
DM
30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.0
0.75
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.13
0.83
W
T
A
= 70 C
0.73
0.53
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
90
110
Steady State
125
150
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
67
80
Notes
a.
Surface Mounted on FR4 Board.
相關PDF資料
PDF描述
Si6963BDQ-T1-E3 Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6963 Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6963DQ Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6967DQ Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI6969DQ Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI6963BDQ_06 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6963BDQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 3.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6963BDQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET Dual P-Ch MOSFET 20V 45mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6963DQ 功能描述:MOSFET TSSOP8 DUAL PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6963DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 3.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*