參數(shù)資料
型號(hào)： SI6963
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 雙P溝道MOSFET的為2.5V指定的PowerTrench
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 69K
代理商： SI6963
Si6963BDQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72772
S-40439—Rev. A, 15-Mar-04
www.vishay.com
1
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.045 @ V
GS
=
4.5 V
3.9
20
0.080 @ V
GS
=
2.5 V
3.0
Si6963BDQ
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
2
S
2
S
2
G
2
TSSOP-8
Top View
S
1
G
1
D
1
P-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
2
P-Channel MOSFET
Ordering Information: Si6963BDQ-T1—E3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 sec
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
12
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
3.9
3.4
T
A
= 70 C
3.1
2.7
A
Pulsed Drain Current
I
DM
30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.0
0.75
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.13
0.83
W
T
A
= 70 C
0.73
0.53
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
90
110
Steady State
125
150
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
67
80
Notes
a.
Surface Mounted on FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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SI6967DQ Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
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SI6981DQ Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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