參數(shù)資料
型號： SI6954ADQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch
中文描述： N溝道2.5V（G-S）電池開關(guān)
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 59K
代理商： SI6954ADQ
Si6954ADQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71130
S-00013—Rev. A, 24-Jan-00
www.siliconix.com FaxBack 408-970-5600
1
N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
30
0.053 @ V
GS
= 10 V
0.075 @ V
GS
= 4.5 V
3.4
2.9
Si6954ADQ
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
2
S
2
S
2
G
2
TSSOP-8
Top View
G
1
S
1
N-Channel MOSFET
G
2
S
2
N-Channel MOSFET
D
1
D
2
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
3.4
3.1
A
T
A
= 70 C
2.7
2.5
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
20
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
0.83
0.69
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.0
0.83
W
T
A
= 70 C
0.96
0.53
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
MaximumJunction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
10 sec
R
thJA
90
125
C/W
Steady State
126
150
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
65
80
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6954DQ Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI6956DQ Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI6963BDQ Dual P-Channel MOSFET, 2.5V(G-S) , -20V(D-S)
Si6963BDQ-T1-E3 Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6963 Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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SI6954ADQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 3.4A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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