型號: | SI6954DQ |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
元件分類: | MOSFETs |
英文描述: | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
中文描述: | 雙N溝道30 V的(副)MOSFET的肖特基二極管 |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 59K |
代理商: | SI6954DQ |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SI6956DQ | Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
SI6963BDQ | Dual P-Channel MOSFET, 2.5V(G-S) , -20V(D-S) |
Si6963BDQ-T1-E3 | Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
SI6963 | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
SI6963DQ | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SI6954DQ-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 3.9A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI6954DQ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 3.9A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI6955 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
SI6955ADQ | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
SI6955ADQ-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 2.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |