參數(shù)資料
型號： SI6943BDQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道的2.5 V（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 54K
代理商： SI6943BDQ
Si6943BDQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72016
S-21780—Rev. A, 07-Oct-02
www.vishay.com
1
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.08 @ V
GS
= -4.5 V
-2.5
-12
0.105 @ V
GS
= -2.5 V
- 1.9
Si6943BDQ
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
2
S
2
S
2
G
2
TSSOP-8
Top View
S
1
G
1
D
1
P-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
2
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-12
Gate-Source Voltage
V
GS
8
V
T
A
= 25 C
- 2.5
-2.3
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 70 C
I
D
-2.2
-1.8
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
-20
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-1.0
-0.7
T
A
= 25 C
1.10
0.80
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 70 C
P
D
0.70
0.50
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
10 sec
89
110
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
120
150
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
70
90
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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SI6963BDQ Dual P-Channel MOSFET, 2.5V(G-S) , -20V(D-S)
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參數(shù)描述
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