參數(shù)資料
型號： SI6926ADQ-T1-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Channel 2.5-V G-S MOSFET
中文描述： 雙N溝道2.5 V的65 MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 70K
代理商： SI6926ADQ-T1-E3
Si6926ADQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72754
S-40230—Rev. A, 16-Feb-04
www.vishay.com
1
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
4.5
20
0.033 @ V
GS
= 3.0 V
4.2
0.035 @ V
GS
= 2.5 V
3.9
0.043 @ V
GS
= 1.8 V
3.6
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
2
S
2
S
2
G
2
TSSOP-8
Top View
D
1
G
1
S
1
N-Channel MOSFET
D
2
G
2
S
2
N-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si6926ADQ-T1—E3 (Lead Free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
4.5
4.1
T
A
= 70 C
3.6
3.3
A
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
20
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
0.83
0.69
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.0
0.83
W
T
A
= 70 C
0.64
0.53
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
90
125
Steady State
126
150
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
65
80
Notes
a.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
相關PDF資料
PDF描述
SI6926DQ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6943BDQ Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6954ADQ N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch
SI6954DQ Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI6956DQ Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI6926ADQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6926AEDQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 0.83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6926AEDQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1.0W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6926DQ 功能描述:MOSFET TSSOP8 DUAL NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6926DQ_Q 功能描述:MOSFET TSSOP8 DUAL NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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